| 发明名称 | 一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于铁电存储器技术领域，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅层、二氧化钛粘结层、金属铂导电层、铅酸钡下电极层、铁电薄膜层和铅酸钡上电极层构成；其中铅酸钡下电极层厚度为100～200nm；铁电薄膜为掺铌的锆钛酸铅材料，其厚度为200～300nm；铅酸钡上电极层厚度为100～200nm；和传统基于铂电极的铁电薄膜电容相比，本发明铁电薄膜电容器工艺温度更低，矫顽场更小，抗疲劳特性更好。 | ||
| 申请公布号 | CN101436597A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200810236807.X | 申请日期 | 2008.12.10 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 于军;闻心怡;王耘波;周文利;高俊雄;李建军;赵远 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 | 代理人 | 曹葆青 |
| 主权项 | 1、一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容，依次包括硅基底(1)、二氧化硅层(2)、二氧化钛粘结层(3)、金属铂导电层(4)、下电极层(5)、铁电薄膜层(6)和上电极层(7)；其特征在于：下电极层(5)和上电极层(7)的材料为铅酸钡薄膜，名义化学式为BaPb1.2～1.4O3；下电极层(5)厚度为100～200nm；上电极层(7)厚度为100～200nm。 | ||
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||