| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 在具有其中由不同材料制成的层或包括各个形成图形的层构成多个层的结构的半导体器件中，目的是为了提供一种方法，其中在不进行CMP法的抛光处理或淀积SOG膜的整平工艺的情况下，可实现平滑表面，不选择基片材料，并且整平技术很简单和容易。在其中形成多个不同层的半导体器件中，在不对形成在绝缘膜和布线(电极)或半导体层上的绝缘膜进行CMP法的抛光处理或淀积SOG膜的整平工艺的情况下，按照以下方式可实现平滑表面，其中孔部分形成在绝缘膜中，布线(电极)或半导体层形成在孔部分中。 | ||
| 申请公布号 | CN100490141C | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN02148136.9 | 申请日期 | 2002.10.30 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 石川明 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈景峻;梁 永 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：具有孔部分的第一绝缘膜，形成在孔部分中的半导体层，和在所述第一绝缘膜和所述半导体层之上的第二绝缘膜，其中所述第二绝缘膜与所述第一绝缘膜的孔部分以外的顶表面相接触，并伸展入孔部分中，以便与所述第一绝缘膜的内侧表面和所述半导体层的侧面接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||