半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置的制造方法中具有难以在偏移区域上位置精度良好地形成漏极扩散层的问题，而本发明的半导体装置的制造方法，在外延层(5)上面堆积硅氧化膜(12)、多晶硅膜(13)以及氮化硅膜(14)。在多晶硅膜(13)及氮化硅膜(14)上形成用于形成LOCOS氧化膜(22)的开口部(21)。并且，使用该开口部(21)，利用自整合技术由离子注入而形成P型扩散层(18)。之后，在开口部(21)上形成LOCOS氧化膜(22)。通过该制造方法能够在偏移区域上位置精度良好地形成用作为漏极区域的P型扩散层。

主权项

1. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在从半导体层表面形成第一漏极扩散层后，在所述半导体层表面依次堆积栅极氧化膜、第一硅膜及氮化硅膜，有选择地去除所述第一硅膜及所述氮化硅膜，以在所述半导体层上将形成场氧化膜的区域设置开口部；使用所述第一硅膜及所述氮化硅膜作为掩模，在所述第一漏极扩散层，利用自整合技术形成第二漏极扩散层后，在所述半导体层上形成场氧化膜；去除所述氮化硅膜后，在所述半导体层上面形成栅电极，在所述栅电极下方的所述半导体层上形成反向栅扩散层及源极扩散层。