| 发明名称 |
元件之接合构造 |
| 摘要 |
本发明系就非晶形Si-TFT提供可将由Al-Ni系合金组成之电极配线层直接接合在半导体层之元件之接合技术。本发明系在具备半导体层、由Al-Ni系合金组成之电极配线层、以及透明电极层，且具有上述半导体层与上述电极配线层系直接接合之部分之元件之接合构造中，以直接接合于电极配线层之半导体层为含有1.0×10#sP!21#eP!atoms／cm#sP!3#eP!至1.0×10#sP!22#eP!atoms／cm#sP!3#eP!之磷及5×10#sP!17#eP!atoms／cm#sP!3#eP!至1.0×10#sP!21#eP!atoms／cm#sP!3#eP!之氮的非晶形矽为特征。 |
| 申请公布号 |
TW200921765 |
申请公布日期 |
2009.05.16 |
| 申请号 |
TW097138847 |
申请日期 |
2008.10.09 |
| 申请人 |
三井金属业股份有限公司 MITSUI MINING ＆ |
发明人 |
松浦宜范;久保田高史 |
| 分类号 |
H01L21/20(2006.01);H01L21/28(2006.01);C22C21/00(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
