发明名称 垂直电晶体及其形成方法
摘要 一种垂直电晶体及其形成方法,此垂直电晶体包含一具有形成于一表面上之柱型主动图形的半导体基板;形成于半导体表面而位于主动图形两侧的第一结合区;形成于第一结合区对侧壁上的屏蔽层;形成在主动图样之上表面上的第二结合区;以及形成在包括第二结合区之主动图形的侧壁而与第一结合区的至少一部分重叠的闸极。
申请公布号 TW200921901 申请公布日期 2009.05.16
申请号 TW096146639 申请日期 2007.12.07
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 车宣龙
分类号 H01L27/105(2006.01);H01L29/772(2006.01);H01L21/8234(2006.01) 主分类号 H01L27/105(2006.01)
代理机构 代理人 郑再钦
主权项
地址 南韩