非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，设置于基底上，包含有多个主动区、记忆体阵列与多个接触窗。主动区由设置于基底中的多个隔离结构所定义并往第一方向延伸。记忆体阵列设置于基底上，包括了多个记忆胞列、多个控制闸极线与多个选择闸极线。各记忆胞列包括多个串连之记忆胞以及设置于这些记忆胞外侧之基底中的源极/汲极区。接触窗沿着第二方向排列，设置于记忆体阵列一侧之基底上，第二方向与第一方向交错，且各接触窗横跨隔离结构，并连接每两个相邻之主动区基底中之源极/汲极区。