发明名称 发光二极体结构及发光二极体阵列光源
摘要 一种发光二极体结构,包括一基板、一第一型掺杂半导体层、一发光层、一第二型掺杂半导体层、一第一电极以及一第二电极。基板之一表面上具有多个向下凹陷或向上凸出的曲面结构。第一型掺杂半导体层配置于基板上,以覆盖上述曲面结构。发光层配置于部分之第一型掺杂半导体层上。第二型掺杂半导体层配置于发光层上。第一电极配置于未被发光层所覆盖之第一型掺杂半导体层上,且与第一型掺杂半导体层电性连接。第二电极配置于第二型掺杂半导体层上,且与第二型掺杂半导体层电性连接。其中,第一电极与第二电极电性绝缘。
申请公布号 TW200921943 申请公布日期 2009.05.16
申请号 TW096143029 申请日期 2007.11.14
申请人 国立中央大学 发明人 郭政煌;陈朝旻;敦俊儒
分类号 H01L33/00(2006.01);F21S2/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 桃园县中坜市中大路300号