非易失性半导体存储器件

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体衬底；以矩阵状形成于半导体衬底上的多个半导体柱；在多个半导体柱之间、沿列方向以条带状形成于半导体衬底上的、作为字线的多个第一传导区域；分别形成于多个半导体柱的顶上的多个第二传导区域；沿行方向与多个第二传导区域相连接的多个位线；分别形成在第一和第二传导区域之间的多个半导体柱上的、与第一和第二传导区域相接触的多个沟道区域；在通过半导体衬底上方的第一绝缘膜连续形成的、在多个半导体柱之间沿列方向对着多个沟道区域的、并用作控制栅的多个第三传导区域；以及分别通过位于多个沟道区域上部的第二绝缘膜、在高于多个第三传导区域的位置上形成的多个电荷积累区域。

主权项

1. 非易失性半导体存储器件，包括：半导体衬底；以矩阵状形成于上述半导体衬底上的多个半导体柱；在上述多个半导体柱之间、沿列方向以条带状形成于上述半导体衬底上的、作为字线的多个第一传导区域；分别形成于上述多个半导体柱的顶上的多个第二传导区域；沿行方向与上述多个第二传导区域相连接的多个位线；分别形成在上述第一和第二传导区域之间的上述多个半导体柱上的、与上述第一和第二传导区域相接触的多个沟道区域；在通过上述半导体衬底上方的第一绝缘膜连续形成的、在上述多个半导体柱之间沿列方向对着上述多个沟道区域的、并用作控制栅的多个第三传导区域；以及分别通过位于上述多个沟道区域上部的第二绝缘膜、在高于上述多个第三传导区域的位置上形成的多个电荷积累区域，其中，上述多个第二传导区域和上述多个沟道区域由p型硅制成；并由在上述多个第二传导区域和上述多个沟道区域之间形成的i型硅层和n型硅层形成了pin二极管。