| 发明名称 | 双极性互补金属氧化物半导体技术中形成集电极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于高速BiCMOS应用的异质双极型晶体管(HBT)，其中通过在器件的子集电极上浅槽隔离区下面提供隐埋耐熔金属硅化物层来降低集电极阻抗Rc。具体地，本发明的HBT包括：包含至少一个子集电极(13)的衬底(12)；位于子集电极上的隐埋耐熔金属硅化物层(28)；以及位于隐埋耐熔金属硅化物层的表面上的浅槽隔离区(22)。本发明也提供制造这种HBT的方法。该方法包括在器件的子集电极上浅槽隔离区下面形成隐埋耐熔金属硅化物。 | ||
| 申请公布号 | CN101432892A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200580031621.5 | 申请日期 | 2005.09.20 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 皮特·J.·盖斯;皮特·B.·格雷;阿尔文·J.·约瑟夫;刘奇志 |
| 分类号 | H01L31/109(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/109(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建峰 |
| 主权项 | 1. 一种异质双极型晶体管，包括：包括至少一个子集电极的衬底；位于子集电极上的隐埋耐熔金属硅化物层；以及位于所述隐埋耐熔金属硅化物层的表面上的浅槽隔离区。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||