发明名称 |
图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种图像传感器及其制造方法,其中图像传感器的制造方法包括:通过形成器件隔离层以在衬底中限定有源区;然后在该有源区中按顺序形成光电二极管和逻辑单元;然后在该光电二极管和该逻辑单元上形成第一钝化层;然后通过选择性地移除对应于该光电二极管的顶部表面的一部分第一保护层而在该第一钝化层中形成沟槽;然后形成埋置在该沟槽中的第二钝化层。在随后的退火工艺中,在其空间对应于该光电二极管的沟槽中形成厚的第二钝化层,从而可以在该衬底的表面上抵消悬挂键,同时也减小了暗电流,增强了该光电二极管的灵敏度。 |
申请公布号 |
CN101431089A |
申请公布日期 |
2009.05.13 |
申请号 |
CN200810175128.6 |
申请日期 |
2008.10.30 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
朴素恩 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郑小军;冯志云 |
主权项 |
1. 一种图像传感器,包括:衬底,具有由器件隔离膜限定的有源区;光电二极管和逻辑单元,形成在该有源区中;第一钝化层,形成在该光电二极管和该逻辑单元上,其中该第一钝化层包括对应于该光电二极管的顶部表面的沟槽;以及第二钝化层,形成在该沟槽中和该第一钝化层上,其中该第二钝化层在该沟槽中的厚度大于该第二钝化层在该第一钝化层上的厚度。 |
地址 |
韩国首尔 |