| 发明名称 | 采用（BI）CMOS工艺的雪崩光电二极管的实现 | ||
| 摘要 | 辐射探测器(46)包括形成在基底(14)上的半导体层(12)和形成在半导体层(12)上的闪烁体(30)。半导体层(12)包括与基底(14)相邻布置的n掺杂区(16)和与n掺杂区(16)相邻布置的p掺杂区(18)。沟道(20)形成在半导体层(12)之内并在p掺杂区的周围，而且填充有减小pn结边缘处的pn结曲度的材料(22)，这减小了在边缘处的击穿。闪烁体(30)布置在p掺；杂区(18)之上并与之光学耦合。辐射探测器(46)进一步包括至少一个和n掺杂区电接触的传导电极(24)。 | ||
| 申请公布号 | CN101432893A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200780015078.9 | 申请日期 | 2007.04.10 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | A·赫林加;T·弗拉克;P·阿加沃尔 |
| 分类号 | H01L31/115(2006.01)I;H01L31/107(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 靳春鹰;谭祐祥 |
| 主权项 | 1. 一种辐射探测器(46)包括：基底(14)；半导体层(12)，其形成在基底(14)上，其中所述半导体层(12)包括：至少一个邻近基底(14)布置的n掺杂区(16)，和多个邻近n掺杂区(16)布置的p掺杂区(18)，以在基底(14)上限定多个pn结；沟道(20)，其形成在半导体层(12)之内并在每个p掺杂区(18)的周围，沟道(20)用材料(22)填充，填充后的沟道(20)减小了邻近pn结边缘的曲度和击穿；至少一个与n掺杂区(16)电接触的传导电极(24)；和布置在p掺杂区(18)之上并与之光学耦合的闪烁体(30)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||