主权项 |
1、一种非晶硅叠层太阳能电池制备方法,包括下述步骤:(1)清洗基片;(2)在基片上制备P型非晶碳化硅薄膜;其中通入的各气体流量为:B2H6:25~35sccm,CH4:25~35sccm,SiH4:35~45sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃;(3)在P型非晶碳化硅薄膜制备I型非晶硅薄膜,其中通入的各气体流量为:SiH4:25~35sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃;(4)在I型非晶硅薄膜上制备N型微晶硅薄膜,其中通入的各气体流量为:PH3:25~35sccm,SiH4:15~25sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃;(5)在N型非晶硅薄膜上制备P型非晶碳化硅薄膜,其中通入的各气体流量为:B2H6:40~50sccm,CH4:20~30sccm,SiH4:15~25sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃;(6)在P型非晶碳化硅薄膜制备I型非晶硅薄膜,其中通入的各气体流量为:SiH4:25~35sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃;(7)在I型非晶硅薄膜制备N型微晶硅薄膜,其中通入的各气体流量为:PH3:25~35sccm,SiH4:15~25sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃;(8)在N型微晶硅薄膜上制备P型非晶碳化硅薄膜,其中通入的各气体流量为:B2H6:40~50sccm,CH4:20~30sccm,SiH4:15~25sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃;(9)在P型非晶碳化硅薄膜上制备I型非晶硅薄膜,其中通入的各气体流量为:SiH4:25~35sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃;(10)制备N型微晶硅薄膜,其中通入的各气体流量为:PH3:25~35sccm,SiH4:15~25sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃;(11)用电阻蒸发式真空镀铝设备来蒸镀铝底电极,其中本底真空度为10-3Pa~-4Pa,溅射时间为2分钟~4分钟,电压为150V~175V。 |