薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。本方法包括：在衬底上形成栅线和存储电极线；在栅线存储电极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线和漏电极；在数据线和漏电极上沉积钝化层；在钝化层上形成包含第一部分和第二部分的光致抗蚀剂；用光致抗蚀剂来蚀刻钝化层进而暴露数据线的一部分和栅极绝缘层的第一部分；去除光致抗蚀剂的第二部分；用光致抗蚀剂来蚀刻钝化层和栅极绝缘层的第一部分，从而暴露栅极绝缘层的第二部分，漏电极的一部分和栅线的一部分；在变形的第一光致抗蚀剂上沉积导电膜；和去除变形的第一光致抗蚀剂从而形成与漏电极暴露部分连接的像素电极。

主权项

1. 一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在衬底上形成栅线和存储电极线；在所述栅线和存储电极线上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成欧姆接触层；在所述欧姆接触层上形成数据线和漏电极；在所述数据线和漏电极上沉积钝化层；在所述钝化层上形成包含第一部分和第二部分的第一光致抗蚀剂；用所述第一光致抗蚀剂来蚀刻所述钝化层进而暴露所述数据线的一部分和所述栅极绝缘层的第一部分；去除所述第一光致抗蚀剂的第二部分来改变所述光致抗蚀剂；用变形的所述第一光致抗蚀剂来蚀刻所述钝化层和所述栅极绝缘层的第一部分，从而暴露所述栅极绝缘层的第二部分、所述漏电极的一部分和所述栅线的一部分；在变形的所述第一光致抗蚀剂和所述栅极绝缘层的所述第二部分上沉积导电膜；和去除变形的所述第一光致抗蚀剂和变形的所述第一光致抗蚀剂上形成的所述导电膜从而形成与所述漏电极暴露部分连接的像素电极，其中所述像素电极连接至所述漏电极的所述暴露部分，且与所述存储电极线的一部分以其间仅有所述栅极绝缘层的所述第二部分的方式交叠。