发明名称 一种高荧光量子产率碳点的制备方法
摘要 本发明公开了一种高荧光量子产率碳点的制备方法,其步骤是:将表面带羧基的荧光碳点真空干燥或冷冻干燥,以烷烃链含碳原子数2-6个的二胺基烷烃为修饰剂,加热回流至修饰完全,然后通过旋转蒸发或萃取的方法除去多余修饰剂,即可制得二胺基烷烃修饰的碳点。本发明方法使碳点的荧光量子产率大大提高,由修饰前的1.2%提高到了5.5~7.1%,且本方法操作简单,成本低,在一般化学实验室均能完成,易于推广。修饰后的碳点溶于水,已成功地用于细胞成像。该方法在生物标记领域具有广阔的应用前景。
申请公布号 CN101430283A 申请公布日期 2009.05.13
申请号 CN200810236945.8 申请日期 2008.12.19
申请人 武汉大学 发明人 庞代文;赵巧玲;张志凌
分类号 G01N21/64(2006.01)I;G01N33/52(2006.01)I 主分类号 G01N21/64(2006.01)I
代理机构 武汉华旭知识产权事务所 代理人 刘 荣
主权项 1. 一种高荧光量子产率碳点的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将表面带羧基的碳点真空干燥或冷冻干燥;(2)取适量干燥后的碳点于容器中,通氮气或惰性气体,加热至40~80℃,除去体系中的水,再加入二胺基烷烃作为修饰剂,修饰剂与碳点的质量比为100~1000∶1,加热回流至修饰完全,移去热源,逐渐冷却至室温;(3)将步骤(2)所得的产物采用旋转蒸发或萃取的方法除去多余的二胺基烷烃,即可得到二胺基烷烃修饰的碳点。
地址 430072湖北省武汉市武昌珞珈山