微波芯片支撑结构

摘要

本发明涉及微波芯片支撑结构(1、1′、1″、1′″)，包括带有第一侧(3、50)和第二侧(4、51)以及外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)的第一微波层压层(2、49)。至少一个导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)在所述第一侧(3、50)上形成，向所述外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)延伸。微波芯片支撑结构(1、1′、1″、1′″)还包括带有第一侧(34、58)和第二侧(35、59)的第二微波层压层(33、33″；57)，第二微波层压层(33、33″，57)的第二侧(35、59)固定到第一层压层(2、49)的第一侧(3、50)的至少一部分。第一层压层(2、49)和/或第二层压层(33、33″；57)包括至少一个凹槽(10、36、66)，设置所述凹槽(10、36、66)以用于接纳要连接到所述导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)的微波芯片(11、67)。第二层压层(33、57)延伸出第一层压层(2、49)的外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)，所述导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)在第二层压层(33、57)的第二侧(35、59)上延续而不接触第一层压层(2、49)。

主权项

1. 一种微波芯片支撑结构(1、1′、1＂、1′′′)，其包括带有第一侧(3、50)和第二侧(4、51)的第一微波层压层(2、49)，所述第一微波层压层(2、49)具有外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)，并且其中至少一个导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)在所述第一层压层(2、49)的所述第一侧(3、50)上形成，所述导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)向所述第一层压层(2、49)的所述外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)延伸，其特征在于，所述微波芯片支撑结构(1、1′、1＂、1′′′)还包括带有第一侧(34、58)和第二侧(35、59)的第二微波层压层(33、33′；57)，所述第二层压层(33、33′；57)以如下方式固定至所述第一层压层(2、49)，即所述第二层压层(33、33′，57)的所述第二侧(35、59)面向所述第一层压层(2、49)的所述第一侧(3、50)的至少一部分，所述第一层压层(2、49)和/或所述第二层压层(33、33′；57)包括至少一个凹槽(10、36、66)，所述凹槽(10、36、66)设置为用于接纳要连接到所述导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)的微波芯片(11、67)，其中所述第二层压层(33、33′；57)还延伸出所述第一层压层(2、49)的所述外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)，所述导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)在所述第二层压层(33、57)的所述第二侧(35、59)上延续而不接触所述第一层压层(2、49)。