具有边缘终止结构的半导体器件及其制造方法

摘要

一种具有半导体本体(22)的半导体器件及其制造方法，包括有源区(7)和围绕有源区的终止结构(16)。本发明特别涉及在有源区中具有沟槽电极的这种器件的终止结构。所述终止结构包括多个串联连接的、并从有源区向半导体本体的外围边缘(42)延伸的横向沟槽栅极晶体管器件(2a到2d)。如此设置横向器件，使得跨越所述横向器件分布有源区和所述外围边缘之间的电压差。终止结构比较紧凑，且该结构的特征容易以与有源区的特征相同的工艺步骤形成。

主权项

1. 一种具有半导体本体(22)的半导体器件，包括有源区(7)和围绕有源区的终止结构(16)，所述有源区包括具有垂直器件结构的器件，所述终止结构包括多个串联连接的、并从有源区向半导体本体的外围边缘(42)延伸的横向沟槽栅极晶体管器件(2a到2d)，每个横向器件包括其中具有栅电极(31)的沟槽(30)，所述栅电极通过栅极绝缘材料层(32)与半导体本体分离，所述横向器件的沟槽、栅电极和栅极绝缘材料层以与有源区中器件的沟槽(20)、其中的绝缘电极(11)和将绝缘电极绝缘的材料层(25)相同的各个工艺步骤而形成，所述横向器件的栅电极(31)延伸穿过第一导电类型区(15)，并且部分穿过下面的第二相反导电类型区(14a)，每个横向器件包括在它的栅电极(31)与更靠近有源区的横向器件一侧处的第一导电类型区(15)之间的导电连接(8，23)，以致跨越所述横向器件分布有源区和外围边缘之间的电压差。