发明名称 |
激光二极管用外延晶片及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种激光二极管用外延晶片,其中的p型AlGaInP包覆层中的p型载流子浓度均匀、且p型杂质的扩散少。本发明提供的激光二极管用外延晶片具有双异质结构,在n型GaAs衬底(1)上,依次至少层叠由AlGaInP系材料构成的n型包覆层(2)、活性层(3)以及p型包覆层(4),该激光二极管用外延晶片中,所述由AlGaInP系材料构成的p型包覆层(4)中的p型杂质是碳,所述p型包覆层(4)中的载流子浓度在8.0×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>以上、1.5×10<sup>18</sup>cm<sup>-3</sup>以下的范围。 |
申请公布号 |
CN101425658A |
申请公布日期 |
2009.05.06 |
申请号 |
CN200810212432.3 |
申请日期 |
2008.08.26 |
申请人 |
日立电线株式会社 |
发明人 |
黑须健 |
分类号 |
H01S5/00(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 |
代理人 |
钟 晶 |
主权项 |
1. 激光二极管用外延晶片,其为具有双异质结构的外延晶片,即在n型GaAs衬底上依次至少层叠n型包覆层、活性层以及p型包覆层,并且所述n型包覆层、活性层以及p型包覆层均由AlGaInP系材料构成,其特征在于,所述由AlGaInP系材料构成的p型包覆层中的p型杂质为碳,所述p型包覆层中的载流子浓度在8.0×1017cm-3以上、1.5×1018cm-3以下的范围。 |
地址 |
日本东京都 |