| 发明名称 | 确定半导体衬底温度的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于确定半导体衬底的温度的方法和装置。通过结电容器(11)和电感器(12)形成配置在半导体衬底上的谐振电路(110)。将衬底放置在夹具上，并且使用辐射装置(200)产生的电磁场(5)的电磁能量照射谐振电路(110)。通过检测谐振电路对被照射的电磁场(5)的影响来确定谐振电路(110)的谐振频率，确定作为谐振频率的函数的半导体衬底的温度。由于结电容器(11)对温度的更高的灵敏度，根据本发明的方法和装置更准确地确定半导体衬底的温度。 | ||
| 申请公布号 | CN101427116A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200780013829.3 | 申请日期 | 2007.04.19 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 斯丹·科尔迪克;麦因迪特·M·鲁宁伯格;让-菲利普·雅克曼 |
| 分类号 | G01K7/32(2006.01)I;G01K7/34(2006.01)I | 主分类号 | G01K7/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种用于确定半导体衬底的温度的方法，所述方法包括步骤：在半导体衬底上设置谐振电路(110)，所述谐振电路(110)包括结电容器(11)和电感器(12)；使用辐射装置(200)产生的电磁场(5)的电磁能量照射谐振电路(110)；通过检测谐振电路(110)对电磁场(5)的影响来确定谐振电路(110)的谐振频率；确定作为所述谐振频率的函数的半导体衬底的温度。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||