| 发明名称 | 存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储器及其制造方法。该存储器包括绝缘底层、导体层、第一电荷储存结构以及第二电荷储存结构。绝缘底层设置于第一绝缘墙及第二绝缘墙之间。导体层设置于绝缘底层上，并位于第一绝缘墙及第二绝缘墙之间。第一电荷储存结构邻近于第一绝缘墙设置，并以该第一绝缘墙与导体层隔开。第二电荷储存结构离近于第二绝缘墙设置，并以第二绝缘墙与导体层隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN101425535A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200810081319.6 | 申请日期 | 2008.02.25 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;施彦豪;杨令武;郑俊民 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1. 一种存储器，包括：绝缘底层，设置于第一绝缘墙及第二绝缘墙之间；导体层，设置于该绝缘底层上，并位于该第一绝缘墙及该第二绝缘墙之间；第一电荷储存结构，邻近于该第一绝缘墙，并以该第一绝缘墙与该导体层隔开；以及第二电荷储存结构，邻近于该第二绝缘墙，并以该第二绝缘墙与该导体层隔开。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||