| 发明名称 | 改善抛光不均匀度的方法和制作嵌入式铜金属层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改善抛光不均匀度的方法和制作嵌入式铜金属层的方法，该半导体晶片上设置有一铜金属层，本发明先利用一第一化学溶液来清洗该铜金属层表面，之后再利用一第二化学溶液进行一化学机械抛光以去除部分铜金属层，以使剩余的该铜金属层具有一大致平坦的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN100485877C | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN02107908.0 | 申请日期 | 2002.03.21 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 胡绍中;许嘉麟;蔡腾群;余志展 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I;C23F1/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1. 一种改善半导体晶片的抛光不均匀度的方法，该半导体晶片上设置有一导电层，该方法包括下列步骤：利用一第一化学溶液来清洗该导电层表面的氧化层；以及利用一第二化学溶液去除部分该导电层，并使剩余的该导电层具有一平坦的表面。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||