| 发明名称 | 衬底中埋植二极管的相变存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种衬底中埋植二极管的相变存储器，包括半导体衬底；二极管；和相变元，所述相变元在所述二极管之上并与所述二极管电连接。所述二极管包括第一导电类型的第一掺杂半导体区，其中所述第一掺杂半导体区埋植在所述半导体衬底中；和第二掺杂半导体区，所述第二掺杂半导体区覆盖在所述第一掺杂半导体区之上并与其相邻接，其中所述第二掺杂半导体区的第二导电类型与所述第一导电类型相反。 | ||
| 申请公布号 | CN101425528A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200810173518.X | 申请日期 | 2008.10.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 赖逢时;何家骅;杨富量 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 | 代理人 | 马铁良;梁 永 |
| 主权项 | 1、一种集成电路结构，其特征在于，包括：半导体衬底；二极管，其中所述二极管包括：第一掺杂半导体区，该第一掺杂半导体区具有第一导电类型，其中所述第一掺杂半导体区埋植在所述半导体衬底中；和第二掺杂半导体区，该第二掺杂半导体区覆盖在所述第一掺杂半导体区上，并与所述第一掺杂半导体区相邻接，其中所述第二掺杂半导体区的第二导电类型与所述第一导电类型相反；和相变元，该相变元在所述二极管之上并与所述二极管电连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||