具有双层硅碳化合物阻挡层的集成电路

摘要

本发明揭露了一种应用于半导体集成电路中的双层硅碳化合物阻挡层及其形成方法。本发明的双层硅碳化合物阻挡层覆盖于一金属导线层以及一第一介电层上。该双层硅碳化合物阻挡层利用等离子体加强化学气相沉积制作工艺形成，其具有一氮掺杂硅碳化合物底层以及一氧掺杂硅碳化合物上层。此外，该氮掺杂硅碳化合物底层具有一最小厚度，用以避免该金属导线层的金属原子扩散至一第二介电层中，同时避免该掺杂氧硅碳化合物上层中的氧原子扩散至该金属导线层中。

主权项

1. 一种集成电路，其包括有：至少一金属导线层，镶嵌于一第一介电层表面上；一多层硅碳化合物阻挡层，覆盖于该金属导线层以及该第一介电层上；以及一第二介电层，覆盖于该多层硅碳化合物阻挡层上。