非挥发性记忆体元件及其制造方法

摘要

本发明提出一种非挥发性记忆体元件的制造方法。首先于基底上形成第一介电层，并于其上形成电荷储存层。然后于电荷储存层上形成具有第一开口之图案化光阻层。继之，对图案化光阻层进行一个热制程，以缩小第一开口的宽度。随后，以进行热制程后的图案化光阻层为罩幕，于电荷储存层中形成第二开口。再者，移除图案化光阻层。接着，依序形成第二介电层及导体层。继之，依序移除部份导体层、部分第二介电层、部分电荷储存层及部分第一介电层，以形成堆叠结构。