发明名称 | 薄膜电晶体之制造方法 | ||
摘要 | 一种薄膜电晶体之制造方法包括下列步骤:首先,于基板上形成一图案化多晶矽层。接着,于图案化多晶矽层上形成一闸绝缘层。然后,于闸绝缘层上形成一闸极层。之后,以闸极层作为罩幕,对图案化多晶矽层进行一第一掺杂制程,以形成一第一浅掺杂区与一第二浅掺杂区。此外,于闸绝缘层与闸极层上形成一保护层,保护层与闸绝缘层中具有一第一接触窗开口与一第二接触窗开口。接着,对暴露出之第一浅掺杂区与第二浅掺杂区进行一第二掺杂制程,以分别形成一源极区与一汲极区。之后,于保护层上形成一源极层与一汲极层。 | ||
申请公布号 | TW200919727 | 申请公布日期 | 2009.05.01 |
申请号 | TW096138834 | 申请日期 | 2007.10.17 |
申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 叶文钧;沈嘉男;杨文琪 |
分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 台北市中山区中山北路3段22号 |