发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体装置,包括一绝缘层、一通道结构、一绝缘结构及一闸极。通道结构包括一通道桥,通道桥之底部与绝缘层相隔一间距,且通道桥包括复数个分离之掺杂区。绝缘结构包覆通道桥,闸极包覆绝缘结构。 | ||
申请公布号 | TW200919724 | 申请公布日期 | 2009.05.01 |
申请号 | TW097102999 | 申请日期 | 2008.01.25 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;吕函庭 |
分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/8232(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |