发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置,包括一绝缘层、一通道结构、一绝缘结构及一闸极。通道结构包括一通道桥,通道桥之底部与绝缘层相隔一间距,且通道桥包括复数个分离之掺杂区。绝缘结构包覆通道桥,闸极包覆绝缘结构。
申请公布号 TW200919724 申请公布日期 2009.05.01
申请号 TW097102999 申请日期 2008.01.25
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 赖二琨;吕函庭
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L21/8232(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉;林素华
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号