发明名称 画素结构及其制造方法
摘要 一种画素结构之制造方法,包括下列步骤,首先,执行第一道光罩制程,以形成一图案化第一金属层于一基板上,图案化第一金属层包含一闸极。接着,执行第二道光罩制程,以形成一图案化绝缘层及一图案化半导体层于闸极上方,图案化绝缘层位于图案化第一金属层上,图案化半导体层位于图案化绝缘层上。然后,执行第三道光罩制程,以定义出一薄膜电晶体及与薄膜电晶体耦接之一画素电极,并形成一保护层覆盖薄膜电晶体。
申请公布号 TW200919054 申请公布日期 2009.05.01
申请号 TW096140832 申请日期 2007.10.30
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 林汉涂;陈建宏
分类号 G02F1/136(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 G02F1/136(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉;林素华
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号