| 发明名称 | 不对称式T型薄膜电容 | ||
| 摘要 | 一种不对称式T型薄膜电容，使用于薄膜电容中，包括第一层金属化膜和第二层金属化膜，其特征在于：所述第一层金属化膜是在塑胶膜表面蒸着金属电极，且设有并联连续不对称的区块；所述第二层金属化膜的上端设置成型为空白区，且其余部分蒸着为金属电极；所述第二层金属化膜和所述第一层金属化膜重叠卷折而成一电容器，且在所述电容器侧喷涂金属融层容置入所述电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN201229853Y | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200820105088.3 | 申请日期 | 2008.04.22 |
| 申请人 | 台金科技股份有限公司 | 发明人 | 王培钟 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G2/16(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/33(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天协和诚知识产权代理事务所 | 代理人 | 张恒康 |
| 主权项 | 1. 一种不对称式T型薄膜电容，使用于薄膜电容中，包括第一层金属化膜和第二层金属化膜，其特征在于：所述第一层金属化膜是在塑胶膜表面蒸着金属电极，且设有并联连续不对称的区块；所述第二层金属化膜的上端设置成型为空白区，且其余部分蒸着为金属电极；所述第二层金属化膜和所述第一层金属化膜重叠卷折，且在其侧喷涂金属融层容置入所述电容器。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市西屯区中部科学园工业园区科园1路3号 | ||