| 发明名称 | 微型机电系统开关的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种微型机电系统开关可以形成有确定于衬底上的突起，其与设置于衬底上方的可偏转构件接触。例如，可偏转构件可以是悬臂或可偏转梁。在一个实施例中，可以使用场氧化技术在衬底中形成突起。 | ||
| 申请公布号 | CN100483593C | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200480008832.2 | 申请日期 | 2004.02.19 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | H·巴 |
| 分类号 | H01H59/00(2006.01)I | 主分类号 | H01H59/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 原绍辉;杨松龄 |
| 主权项 | 1. 一种制造微型机电系统开关的方法，包括：在半导体衬底上方形成氮化硅层；在所述氮化硅层中形成开口；进行氧化以便形成与所述开口对齐的氧化物隆起；在所述氧化物隆起上方形成能够朝向或背离所述氧化物隆起偏转的可偏转构件；以及在所述氧化物隆起上覆盖导电层，使所述导电层能够和所述可偏转构件之间形成电接触。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||