三维集成电路的实现方法

摘要

本发明公开了一种三维集成电路的实现方法，属于半导体制造技术和三维集成技术领域。所述方法包括：在第一层电路圆片的键合面或辅助圆片的键合面淀积电镀种子层；使用所述辅助圆片作为支撑对第一层电路圆片的背面进行减薄并刻蚀穿透圆片的通孔，使电镀种子层通过通孔暴露出来；使用自底向上的电镀技术，将所述电镀种子层作为起点，电镀填充通孔，并在填充的通孔上制作凸点；采用凸点键合的方式将所述第一层电路圆片与第二层电路圆片进行连接。本发明通过沉积电镀种子层，采用自底向上的电镀方式实现高深宽比的垂直互连通孔内的填充，降低了工艺难度，不仅可以实现硅衬底的三维集成，还可以扩展到其他半导体衬底的三维集成，具有很好的通用性。

主权项

1. 一种三维集成电路的实现方法，其特征在于，所述方法包括：步骤A：在第一层电路圆片的键合面或辅助圆片的键合面上淀积电镀种子层，并将所述第一层电路圆片与所述辅助圆片键合；步骤B：使用所述辅助圆片作为支撑，对所述第一层电路圆片进行减薄，并刻蚀所述第一层电路圆片制造通孔，使所述电镀种子层通过通孔在所述第一层电路圆片的背面暴露；步骤C：使用自底向上的电镀技术，将所述电镀种子层作为起点，电镀填充通孔，并在填充的通孔上制作凸点；步骤D：采用凸点键合的方式将所述第一层电路圆片与第二层电路圆片进行连接，然后将辅助圆片去除，实现所述第一层电路圆片和所述第二层电路圆片构成的三维集成电路。