SONOS存储装置及其制造方法

摘要

提供一种SONOS存储装置及其制造方法。SONOS存储装置包括基材以及形成在该基材上并具有开关和数据存储功能的多功能装置。多功能装置包括第一和第二杂质区、形成在第一和第二杂质区之间的沟道、以及形成在沟道上用于数据存储的堆栈材料。用于数据存储的堆栈材料是通过依次将隧道氧化物层、存储数据的存储节点层、阻挡层、以及电极层堆叠而成。

主权项

1. 一种SONOS存储装置，包括：基材；以及形成在基材上的双功能装置，所述双功能装置具有开关和数据存储功能并且包括存储节点层，其中双功能装置包括：在基材上的第一和第二杂质区；形成在第一和第二杂质区之间的基材上的沟道；以及在沟道上形成的用于数据存储的堆栈材料，其中用于数据存储的堆栈材料通过依次堆叠第一隧道氧化物层、第二隧道氧化物层、存储数据的存储节点层、第一阻挡层、以及电极层而形成，其中所述存储节点层是金属氧化物氮化物(MON)或金属硅氧化物氮化物(MSiON)层其中所述存储节点层当暴露于900℃时保持非结晶状态。