半导体器件中的金属线及其制造方法

摘要

一种半导体器件中的金属线及其制造方法，该半导体器件包括：在衬底上的第一接触插塞；在包括第一接触插塞的衬底上方的第一绝缘隔层；形成在第一绝缘隔层上方的第一蚀刻阻止层；在第一绝缘隔层和第一蚀刻阻止层中的沟槽；沟槽中的金属线，该金属线包括从沟槽中突出的第二接触插塞，其中，金属线和沟槽形成为单个本体；以及在包括金属线和第二接触插塞的衬底上方的第二绝缘隔层。

主权项

1. 一种制造半导体器件中的金属线的方法，包括：在半导体衬底上方形成保护层；在所述保护层中形成第一接触插塞；在包括所述第一接触插塞的所述半导体衬底上方顺序形成第一绝缘隔层和第一蚀刻阻止层；通过去除所述第一绝缘隔层和所述第一蚀刻阻止层来形成沟槽以暴露所述第一接触插塞；在包括所述沟槽的所述衬底上方形成金属层；通过蚀刻所述金属层，同时形成所述沟槽中的金属线和形成从金属线中延伸并且从所述沟槽中突出的第二接触插塞；在包括所述第二接触插塞的所述衬底上方沉积第二绝缘隔层；以及然后实施CMP直到暴露所述第二接触插塞。