| 发明名称 | 具有纳米柱的半导体器件及其方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件(10)，其包括多个由导电材料(16)形成的柱(22)。所述柱通过使用多个纳米晶体(20)作为硬掩模图案化导电材料(16)而形成。所述导电材料的厚度决定了所述柱的高度。同样，所述柱的宽度由纳米晶体(20)的直径决定。在一个实施例中，所述柱(22)由多晶硅形成并且用作具有良好电荷保持性和低电压操作的非易失性存储器单元(25)的电荷存储区。在另一实施例中，所述柱由金属形成并且用作金属-绝缘体-金属(MIM)电容器(50)的平板电极，该电容器具有增大的电容，而未增加集成电路表面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101421827A | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200680036282.4 | 申请日期 | 2006.09.20 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | L·马修;R·A·劳;R·穆拉利德哈 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 1、一种方法，其包括：形成第一层；在所述第一层上形成多个纳米簇；以及图案化所述第一层，其中，图案化所述第一层包括使用所述多个纳米簇作为硬掩模进行的刻蚀。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||