| 发明名称 | 镶嵌结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种镶嵌结构的制造方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有导电层；将所述半导体基底表面曝露于惰性气体气体等离子体环境中；将所述半导体基底表面曝露于氨气等离子环境中；在所述半导体基底上形成第一介质层；在所述半导体基底上形成第二介质层；在所述第二介质层中形成连接孔和/或沟槽；本发明镶嵌结构制造方法中刻蚀停止层沉积时不会在下层金属导线中形成耦合电流。 | ||
| 申请公布号 | CN100483674C | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200610116848.6 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 汪钉崇;蓝受龙;杨小明 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种镶嵌结构的制造方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有导电层；将所述半导体基底表面曝露于惰性气体气体等离子体环境中；将所述半导体基底表面曝露于氨气等离子环境中；在所述半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成第二介质层；在所述第二介质层中形成连接孔和/或沟槽。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||