| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造和操作方法及便携式电子装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件，它具有形成在半导体层中的第一导电类型区、形成在半导体层中且与第一导电类型区相接触的第二导电类型区、排列在半导体层上横跨第一和第二导电类型区的边界的存储功能元件、以及提供在第一导电类型区上且经由绝缘膜而与存储功能元件相接触的电极，以及一种包含此半导体存储器件的电子装置。借助于构成基本上一种器件的可选择的存储单元，本发明完全适应按比例缩小和高密度集成。 | ||
| 申请公布号 | CN100483743C | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN02823154.6 | 申请日期 | 2002.11.18 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 岩田浩;柴田晃秀 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;叶恺东 |
| 主权项 | 1. 一种半导体存储器件，它包含：形成在半导体层中的沟道区；提供在沟道区二侧上的可变电阻区；经由可变电阻区而提供在沟道区二侧上的二个扩散区；经由栅绝缘膜而提供在沟道区上的栅电极；以及排列在栅电极二侧上分别横跨可变电阻区和部分扩散区的二个存储功能元件。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||