发明名称 |
导电通道的制造方法和半导体器件及系统 |
摘要 |
揭示了一种用来在半导体部件中形成导电通道的方法。该方法包括提供具有第一表面和相反的第二表面的基片(112)。在基片中形成至少一个在第一表面和相反的第二表面之间延伸的孔(118)。在限定所述至少一个孔的基片侧壁上形成籽晶层(128),镀敷以导电层(130),并在所述至少一个孔的剩余空间内引入导电或不导电的填充材料。还揭示了一种采用掩蔽孔形成通过基片的导电通道的方法。还揭示了具有包含本发明导电通道的基片的半导体部件和电子系统。 |
申请公布号 |
CN100483653C |
申请公布日期 |
2009.04.29 |
申请号 |
CN200480027036.3 |
申请日期 |
2004.09.21 |
申请人 |
微米技术股份有限公司 |
发明人 |
N·辛哈 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
范 征 |
主权项 |
1. 一种用来在半导体部件中形成导电通道的方法,该方法包括:提供具有第一表面和相反的第二表面的基片;在选定的位置形成至少一个穿过该基片的孔,该至少一个孔由侧壁所限定,从所述基片的第一表面延伸到相反的该基片第二表面;在所述基片的第一表面、所述基片相反的第二表面以及所述至少一个孔的侧壁上施加镀敷籽晶层;除去所有覆盖在所述基片第一表面和相反的第二表面上的镀敷籽晶层;在所述至少一个孔的侧壁上的镀敷籽晶层上镀敷导电层;在所述至少一个孔内剩余的空间内引入填充材料。 |
地址 |
美国爱达荷州 |