等离子体处理装置

摘要

在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿着所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。

主权项

1. 一种等离子体处理装置，包括：支承台，设置在处理容器中，用于支承被处理基片，所述基片具有大致平坦的表面；喷盘，设置成朝向所述支承台，并且具有比被处理的所述基片区域大的第一区域，所述喷盘具有将等离子体激发气体释放到所述处理容器中的多个气体释放孔，所述气体释放孔形成在比被处理的所述基片区域大的所述喷盘的第二区域上，使得所述等离子体激发气体越过所述第二区域大致均匀地贯通释放到所述处理容器中的空间中；介电板，设置在所述喷盘的外侧；和天线板，设置在所述介电板的外侧，并且具有不小于所述喷盘的第二区域的区域，所述天线板大致均匀地将微波辐射通过所述介电板和所述喷盘进入所述处理容器内的对应于所述喷盘的第二区域的所述空间的一部分的所述空间；在所述对应于所述喷盘的第二区域的所述部分的所述空间中，通过所述微波激发释放到其中的所述等离子体激发气体，所述等离子体处理装置在所述空间中大致均匀地形成等离子体，其中，所述喷盘在朝向所述支承台侧具有表面，使得从所述表面到被处理的所述基片的距离在所述喷盘的第二区域的周围部分处小于所述第二区域的中心部分处，由此，由于在所述第二区域的周围部分处发生的所述等离子体的电子消失而导致在所述第二区域的所述周围部分处的等离子体密度的降低得到补偿，并且等离子体密度的均匀性在所述喷盘的第二区域上得到维持。