基于GaN的半导体发光器件及其制造方法

摘要

一种基于GaN的半导体发光器件1包括叠层体10A和在导电衬底31上形成的第二接合层33，所述叠层体10A具有部件层12并具有由金属制造的第一接合层14作为最外层，部件层12包括每一层均由基于GaN的半导体形成的依次堆叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，所述第二接合层33适合于将与形成了所述导电衬底31的侧面相对的其表面接合到所述第一接合层14，所述第二接合层33由与所述第一接合层14相同晶体结构的金属制造并沿所述接合表面的垂直方向和所述接合表面的面内方向呈现出相同的晶体取向。

主权项

1. 一种基于GaN的半导体器件，包括：叠层体，其具有依次堆叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，每一层均由基于GaN的半导体形成，并具有由金属制造的第一接合层作为最外层；导电衬底；以及第二接合层，其形成在所述导电衬底上，适合于将与形成所述导电衬底的侧面相对的其接合表面接合到所述第一接合层，所述第二接合层由与所述第一接合层相同晶体结构的金属制造，并沿所述接合表面的垂直方向和所述接合表面的面内方向呈现出相同的晶体取向。