发明名称 |
液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料及制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料及制备方法。本发明制备的液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料包括:低温区使用的、中温区使用和高温区使用的各种温差电材料。采用电沉积的方法,选择合适的薄膜温差电材料组成元素的离子、增加溶液电导率的导电离子以及添加剂;采用控电流方式输出电能,或采用控电压方式输出电能;电源输出的电流或者电压波形是直流波形、交流波形、脉冲波形、锯齿波形、三角波形、梯形波形或矩形波形中的一种或者两种以上波形的叠加。本发明的薄膜温差电材料及制备方法非常适用于制备微型温差电池、微型温差电制冷或加热器以及温差电探测器。 |
申请公布号 |
CN101420010A |
申请公布日期 |
2009.04.29 |
申请号 |
CN200810153635.X |
申请日期 |
2008.11.28 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
王为;李菲晖 |
分类号 |
H01L35/14(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L35/14(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 |
代理人 |
王 丽 |
主权项 |
1. 一种液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料,其特征是液相电沉积薄膜温差电材料包括:1)低温区使用的Bi2Te3及其掺杂温差电材料、ZnSb及其掺杂温差电材料、Sb4Te5及其掺杂温差电材料;2)中温区使用的Pb1-XSnXTe及其掺杂温差电材料、PbTe及其掺杂温差电材料、SbTe及其掺杂温差电材料、Bi(SiSb2)及其掺杂温差电材料、Bi2(GeSe)3及其掺杂温差电材料、CoAs3及其掺杂温差电材料、CoSb3及其掺杂温差电材料、Sr8Ga16Ge30及其掺杂温差电材料、Ba8GaxGe46-x及其掺杂温差电材料、ZrNiSn.及其掺杂温差电材料、MNiSn及其掺杂温差电材料、CoSb及其掺杂温差电材料、CsBi4Te6及其掺杂温差电材料;.3)高温区使用的MnSi1.7及其掺杂温差电材料、FeSi2及其掺杂温差电材料、CoSi及其掺杂温差电材料和Ge1-XSiX及其掺杂温差电材料。 |
地址 |
300072天津市南开区卫津路92号天津大学 |