齐纳击穿式存储器

摘要

本发明涉及一种集成电路，其用于通过驱动一电流通过一NPN晶体管来将信息永久性地电编程到所述集成电路中。所述集成电路包括一第一电流馈电电路，所述第一电流馈电电路具有一经由一电阻器连接至所述NPN晶体管的输出端、一可连接至一馈电电压的馈电点及一用于控制对所述NPN晶体管进行所述编程的控制输入端。所述集成电路还包括至少一第二电流馈电电路，所述第二电流馈电电路具有一连接至所述第一电流馈电电路的所述馈电点的输出端、一可连接至一馈电电压的馈电点及一用于控制对所述NPN晶体管进行所述编程的控制输入端。最后，所述集成电路包括一第一电压电平控制器，所述第一电压电平控制器设置成在所述第一及至少第二电流馈电电路上分离对所述NPN晶体管进行编程所需的电压。

主权项

1. 一种集成电路，其用于通过驱动电流通过齐纳二极管来将信息永久性地电编程到所述集成电路中，其特征在于，-第一电流馈电电路，其包括·输出端，·可连接至馈电电压的馈电点，及·用于控制对所述齐纳二极管进行所述编程的控制输入端，-至少第二电流馈电电路，其包括·经由电阻器连接至所述齐纳二极管的输出端，·连接至所述第一电流馈电电路的所述输出端的馈电点，及·用于对所述齐纳二极管进行所述编程的控制输入端，及-第一电压电平控制器，连接于所述至少第二电流馈电电路的所述输出端与所述第一电流馈电电路的所述控制输入端之间，以便在所述第一电流馈电电路及所述至少第二电流馈电电路上分离对所述齐纳二极管进行编程所需的电压。