量子点光调制器有源区结构

摘要

一种量子点光调制器有源区结构，包括：一n型衬底；一n型缓冲层生长于n型衬底之上，该n型缓冲层的生长可有效防止衬底缺陷向外延层扩展；一第一未掺杂层生长于n型缓冲层之上，提供了外加电压的作用空间；一量子点层生长于第一未掺杂层上面；一第二未掺杂层生长于量子点层之上；一势垒层生长于第二未掺杂层之上；一第三未掺杂层生长于势垒层之上，提供了外加电压的作用空间；一p型掺杂层，该p型掺杂层生长于第三未掺杂层之上，是这一结构的表面层，可用于引出正面电极。

主权项

1、一种量子点光调制器有源区结构，其特征在于，其中包括：一n型衬底，在该n型衬底上进行材料生长；一n型缓冲层，该n型缓冲层生长于n型衬底之上，该n型缓冲层的生长可有效防止衬底缺陷向外延层扩展；一第一未掺杂层，该第一未掺杂层生长于n型缓冲层之上，提供了外加电压的作用空间；一量子点层，该量子点层生长于第一未掺杂层上面；一第二未掺杂层，该第二未掺杂层生长于量子点层之上；在上述第一未掺杂层与第二未掺杂层共同作用下，在该量子点层内将形成三维量子化的分立能级；一势垒层，该势垒层生长于第二未掺杂层之上；该第二未掺杂层作为间隔层将量子点层和势垒层分开，同时在外加电场的作用下与势垒层形成空穴势阱；一第三未掺杂层，该第三未掺杂层生长于势垒层之上，提供了外加电压的作用空间；所述势垒层的带隙大于第二未掺杂层以及第三未掺杂层的带隙；一p型掺杂层，该p型掺杂层生长于第三未掺杂层之上，是这一结构的表面层，可用于引出正面电极。