具有在抛光时促进混合尾迹的凹槽结构的抛光垫座

摘要

一种用于抛光晶片(112，516)或其他工件的抛光垫座(104，300，400，500)。这种抛光垫座包括一个含有多个凹槽(148，152，156)(304，308，324)(404，408，424)(520，524，528)的抛光层(108)，这些凹槽的取向基本上平行于晶片的一个或几个相应的速度矢量(V1-V4)(V1′-V4′)(V1″-V4″)(V1″′-V4″′)。这些平行取向在抛光时促使在这些凹槽中的抛光介质(120)形成混合尾迹。

主权项

1. 一种适宜对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种基片进行抛光的抛光垫座，包括：(a)一个具有抛光区的抛光层，其抛光区由一个第一边界(168，312，412，508)和一个第二边界(172，316，416，512)确定，第一边界(168，312，412，508)相应于抛光垫座上一个第一点的轨迹，第二边界(172，316，416，512)由抛光垫座上一个第二点的轨迹限定，两个边界相互隔开，一个第一区段紧接第二边界(172，316，416，512)，一个第二区段位于第二边界(172，316，416，512)和第一边界(168，312，412，508)之间，一个第三区段紧接第一边界(168，312，412，508)；(b)至少一个第一小角度凹槽，这个凹槽至少一部分包含在紧邻第一边界(168，312，412，508)的抛光区内，并在第三区段中相对于第一边界(168，312，412，508)形成一个-40°到40°的角α；(c)至少一个第二小角度凹槽，这个凹槽至少一部分包含在紧邻第二边界(172，316，416，512)的抛光区内，并在第一区段中相对于第二边界(172，316，416，512)形成一个-40°到40°的角β；(d)多个大角度凹槽，每一个都包含在抛光区内，并至少位于一个第一小角度凹槽和至少一个第二小角度凹槽之间，每一个大角度凹槽都在第二区段中相对于第一边界(168，312，412，508)和第二边界(172，316，416，512)中每一个形成一个45°到135°的角。