由硅制造掺杂半导体晶片的方法以及该半导体晶片

摘要

本发明涉及一种由硅制造掺杂半导体晶片的方法，这些掺杂半导体晶片含有一种诸如硼、磷、砷或锑的电活性掺杂剂，并任选额外用锗掺杂，且具有特定的热导率，其中，由硅制成单晶，并进一步加工成半导体晶片，而所述热导率是通过选择电活性掺杂剂的浓度并任选由锗的浓度加以调节。本发明还涉及根据该方法由硅制成的半导体晶片，其具有关于热导率和电阻率的特定性能。

主权项

1、用于制造热导率为k的经掺杂的硅半导体晶片的方法，该晶片掺杂有选自硼、磷、砷或锑的电活性掺杂剂，还掺杂有浓度最大为2×1020原子/立方厘米的锗，该方法包括：由硅制成单晶，并将所述单晶进一步加工成半导体晶片，通过选择锗和电活性掺杂剂的浓度依照下式设置热导率k：k＝(1-5. 6×10-21×c(Ge)+1.4×10-41×c(Ge)2)/(6.8×10-3+α×c(掺杂剂))其中，k为22℃下以W/mK为单位的热导率，c(Ge)和c(掺杂剂)分别为以原子/立方厘米为单位的所选定的锗和电活性掺杂剂的浓度，而α为系数，其具有取决于电活性掺杂剂的以下值：掺杂剂为硼时，α为9.57×10-23；掺杂剂为磷时，α为6.42×10-23；掺杂剂为砷时，α为2.11×10-22；掺杂剂为锑时，α为1.30×10-21。