薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管特征在于，在半导体层图案中的沟道中形成的低角度晶界相对于电流流动方向倾斜-15到15°。该方法包括：在衬底上形成非晶硅层；在非晶硅层上形成第一盖层；在第一盖层上形成第二盖层，且构图第二盖层使得籽晶形成为线形；在构图的第二盖层上形成金属催化剂层；扩散金属催化剂；以及晶化并构图非晶硅层来形成半导体层图案。因而，具有与电流流动方向近似平行的角度的沟道层可以通过形成和晶化线形籽晶而在低角度晶界形成。换句话说，器件特性可以通过调整晶体生长的位置和方向来改善并均匀化。

主权项

1. 一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成盖层使得籽晶被形成为线形；在所述盖层上形成金属催化剂层；扩散所述金属催化剂；以及晶化和构图所述非晶硅层从而形成半导体层图案。