用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极及其制备方法

摘要

本发明涉及一种用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极及其制备方法，包括有以下步骤：1)在芯片材料上制备钛膜，然后利用含有碳源的等离子体将该钛膜碳化，制得碳化钛膜；或直接制备碳化钛膜；2)采用磁控溅射法或直流溅射法或蒸发镀法，在碳化钛膜表面制备一层金膜，然后在金膜表面涂覆一层光刻胶，利用制得好的图形屏蔽光照、显影，利用金腐蚀液去除无光刻胶处的金膜，所需电极位置的碳化钛膜被金膜覆盖，其它部位的碳化钛膜裸露；3)利用氧等离子体处理样品，将裸露的碳化钛膜氧化为二氧化钛膜，去除剩下的金膜，即得。本发明与现有技术相比具有以下优点：制备的埋层式碳化钛电极不会给芯片的封装带来不便，且强度高，导电性能好，性能稳定。

主权项

1、用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极，其特征在于包括有碳化钛膜(2)、二氧化钛膜(1)和芯片材料(3)，碳化钛膜嵌套在二氧化钛膜中，二者集成在芯片材料上，且碳化钛膜与二氧化钛膜上表面平齐。