| 发明名称 | 形成穿过电介质的金属/半导体触点的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在至少一个金属层(5)和至少一个半导体衬底(1)之间形成穿过半导体器件(100)中的至少一个电介质层(4)的触点(6.1至6.n)的方法。该半导体器件(100)在半导体衬底(1)的称为“基极”的至少一个面(2)上包括电介质层(4)。在该电介质层(4)上堆叠有金属层(5)。使装配在支撑体(12)上的若干突出元件(13.1至13.n)的加热端同时与金属层(5)接触，从而在突出元件(13.1至13.n)的加热端下面形成熔化金属区(14.1至14.n)。熔化金属横穿电介质(4)，并且与熔化金属区(14.1至14.n)的水平高度上的衬底(1)的半导体融合，从而形成触点(6.1至6.n)。 | ||
| 申请公布号 | CN100481522C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200680003965.X | 申请日期 | 2006.02.06 |
| 申请人 | 法国原子能委员会 | 发明人 | 皮埃尔·吉恩·里贝龙;埃马纽埃尔·罗兰 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L27/142(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;李丙林 |
| 主权项 | 1. 在至少一个金属层(5)和至少一个半导体衬底(1)之间形成穿过半导体器件(100)中的至少一个电介质层(4)的触点(6.1至6.n)的方法，所述半导体器件(100)在所述半导体衬底(1)的被称为“基极”的至少一个面(2)上包括所述电介质层(4)，在所述电介质层(4)上堆叠有所述金属层(5)，其特征在于，使装配在支撑体(12)上的若干突出元件(13.1至13.n)的加热端同时与所述金属层(5)接触，从而在所述突出元件(13.1至13.n)的所述加热端下面形成熔化金属区(14.1至14.n)，所述熔化金属横穿所述电介质(4)，并且与处于熔化金属区(14.1至14.n)的水平高度上的所述衬底(1)的半导体融合，从而形成所述触点(6.1至6.n)。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||