两步制备NiO透明导电薄膜的方法

摘要

两步制备NiO透明导电薄膜的方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有方法所采用的NiO陶瓷靶制备工艺较复杂、价格昂贵，易破损。由于在制备NiO陶瓷靶的过程中，Ni和O原子比例已固定，限制了制备的NiO透明导电薄膜中Ni和O原子比例调整范围，不能满足不同的应用需求。由于低温生长的特点导致薄膜中的缺陷较多，从而造成薄膜中载流子迁移率降低，大大降低了NiO透明导电薄膜的导电率和光学透过率。本发明第一步通过溅射Ni靶制备Ni膜；第二步将得到的Ni膜置于500～1200℃范围内的某一温度下的氧化气氛中，氧气流量为5～15l/min，热氧化时间为30～180分钟，将Ni膜氧化而形成NiO透明导电薄膜。

主权项

1、一种两步制备NiO透明导电薄膜的方法，以磁控溅射的方式，通过溅射气体将溅射靶物质溅射到衬底上形成薄膜，其特征在于，第一步通过溅射Ni靶制备Ni膜；第二步将得到的Ni膜置于500～1200℃范围内的某一温度下的氧化气氛中，氧气流量为5～15l/min，热氧化时间为30～180分钟，将Ni膜氧化而形成NiO透明导电薄膜。