用于减小场效应晶体管中的接触电阻的外延硅锗

摘要

描述了一种用凹陷部外延SiGe源区和漏区来选择性地减轻n沟道晶体管的沟道应力的方法。这可提高n沟道晶体管的电子迁移率，而不影响p沟道晶体管中的应变。SiGe在形成硅化物时提供较低的电阻。

主权项

1. 一种制造n沟道及p沟道晶体管的方法，包括：在硅衬底上形成凹陷部，用于n沟道及p沟道晶体管的与栅结构相邻的源区和漏区；在所述凹陷部中生长SiGe，以形成所述n沟道及p沟道晶体管的源区和漏区；以及减轻所述n沟道晶体管的沟道区中因所述SiGe的生长而导致的应变，但实质上不影响所述p沟道晶体管的沟道区中的应变。