发明名称 |
柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法 |
摘要 |
本发明公开的柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法,步骤包括:将清洗过的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中,以ZnO陶瓷为靶材,生长室通入O<sub>2</sub>气体,控制压强为0.01~2Pa,室温下在柔性衬底上脉冲激光沉积ZnO籽晶层;分别配置浓度为0.01~0.1mol/L的硝酸锌水溶液和六次甲基四胺水溶液,并按体积比1∶1混合,再将沉积有ZnO籽晶层的柔性衬底浸没于混合溶液中,在70~100℃下反应1~12h后取出,用去离子水漂洗,烘干,即可。本发明方法所用设备简单,易操作,制备的ZnO纳米线阵列化良好,粗细均匀,成本低,适宜于大规模生产。 |
申请公布号 |
CN101413141A |
申请公布日期 |
2009.04.22 |
申请号 |
CN200810122113.3 |
申请日期 |
2008.10.28 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
朱丽萍;王雪涛;叶志镇 |
分类号 |
C30B7/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C01G9/02(2006.01)I;C23C26/02(2006.01)I |
主分类号 |
C30B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 |
代理人 |
韩介梅 |
主权项 |
1 柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法,包括以下步骤:1)分别配置浓度为0.01~0.1mol/L的硝酸锌水溶液和浓度为0.01~0.1mol/L的六次甲基四胺水溶液;2)将清洗过的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中,以ZnO陶瓷为靶材,靶材与衬底之间的距离保持为4~6cm,生长室真空度至少抽至10-3Pa,生长室通入O2气体,控制压强为0.01~2Pa,室温下在柔性衬底上脉冲激光沉积ZnO籽晶层;3)将硝酸锌水溶液和六次甲基四胺水溶液按体积比1:1混合,再将上述沉积有ZnO籽晶层的柔性衬底浸没于混合溶液中,在70~100℃下反应1~12h后取出,用去离子水漂洗,烘干,即可。 |
地址 |
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |