| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有铜或铜合金制成的插塞与布线的改进的防铜扩散功能的半导体器件及其制造方法，其中该方法包括下述步骤：(a)在形成于半导体衬底上的含氧绝缘体的表面上形成铜合金膜，该铜合金膜包含除铜之外的至少两种金属元素。(b)在该铜合金膜上形成由纯铜或铜合金制成的金属膜。(c)在步骤(a)或(b)之后，通过该绝缘体中的氧与该铜合金膜中的金属元素之间的反应在该绝缘体的表面上形成金属氧化膜的条件下，执行热处理。其中：步骤(a)形成由包含至少三种元素的铜合金制成的该铜合金膜，所述至少三种元素包括除铜之外的至少两种金属元素。利用本发明，可以改进半导体器件的防扩散功能。 | ||
| 申请公布号 | CN100481377C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200510118486.X | 申请日期 | 2005.10.28 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 小浦由美子;北田秀树;小泽清 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;潘培坤 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：(a)在形成于半导体衬底上的含氧绝缘体的表面上形成铜合金膜，该铜合金膜包含除铜之外的至少两种金属元素；以及(b)在该铜合金膜上形成由纯铜或铜合金制成的金属膜；并进一步包括如下步骤：(c)在步骤(a)或(b)之后，在通过该绝缘体中的氧与该铜合金膜中的金属元素之间的反应而在该绝缘体的表面上形成金属氧化膜的条件下，执行热处理；其中：步骤(a)形成由包含至少三种元素的铜合金制成的该铜合金膜，所述至少三种元素包括除铜之外的至少两种金属元素。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||