发明名称 |
利用牺牲材料的半导体装置 |
摘要 |
本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括一具有复数个晶体管装置的基板以及复数条铜交互连接金属化线与复数个导电通孔。该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔是界定于该半导体装置的复数个交互连接阶层中的每一阶层中,使得该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔藉由一空气介电质而相互隔绝。该半导体装置更包括复数个支持短截部,其中每一个是建构为形成一延伸经过该半导体装置的该复数个交互连接阶层的支持柱,该复数个支持短截部并未电性交互连接至该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔,以便支持柱保持结构与钝化层接触以避免与复数个铜交叉互连接金属线和导电通孔接触,复数个支持柱还被建构以便在半导体装置的多个交互连接阶层之间不提供电连接。 |
申请公布号 |
CN100481437C |
申请公布日期 |
2009.04.22 |
申请号 |
CN02807474.2 |
申请日期 |
2002.03.26 |
申请人 |
兰姆研究有限公司 |
发明人 |
耶海尔·哥特基斯;戴维·魏;罗德尼·基斯特勒 |
分类号 |
H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/532(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
章社杲 |
主权项 |
1. 一种半导体装置,包含:一基板,具有复数个晶体管装置,和设置在一介电质层的上方的钝化层,该介电质层被限定在晶体管装置的上方;复数条铜交互连接金属化线与复数个导电通孔,界定于该半导体装置的复数个交互连接阶层中的每一阶层中,该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔是藉由一多孔介电质材料而相互隔绝;以及复数个支持短截部,该复数个支持短截部中的每一个是设置在钝化层的表面的上方,并建构为形成一延伸经过该半导体装置的该复数个交互连接阶层的支持柱,该复数个支持短截部并未电性交互连接至该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔,以便支持柱保持结构与钝化层接触以避免与复数个铜交叉互连接金属线和导电通孔接触,复数个支持柱还被建构以便在半导体装置的多个交互连接阶层之间不提供电连接。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |